Mar 11, 2024 Ħalli messaġġ

L-Istitut tas-Semikondutturi Jiżviluppa HighInstitute Of Semiconductors ibbażat fuq GaN Jiżviluppa Laser UV ta 'qawwa għolja bbażat fuq GaN B'4.6W Qawwa Kontinwa F'Laser UV b'qawwa tat-temperatura tal-kamra B'4.6W Qawwa Kontinwa f'Temperatura tal-Kamra

Materjali bbażati fuq in-nitrur tal-gallju (GaN)--huma magħrufa bħala semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni, li l-firxa spettrali tagħhom tkopri l-wavelength sħiħ tal-infra-aħmar qrib, viżibbli u ultravjola, u għandhom applikazzjonijiet importanti fil-qasam tal-optoelettronika. Ibbażat fuq il-GaN Lejżers ultravjola, minħabba l-wavelengths qosra tagħhom, enerġija foton għolja, tifrix qawwi u karatteristiċi oħra, għandhom prospetti ta 'applikazzjoni importanti fl-oqsma tal-litografija ultravjola, tqaddid ultravjola, skoperta tal-virus, u komunikazzjonijiet ultravjola. Madankollu, minħabba li l-lejżers UV ibbażati fuq GaN huma ppreparati bbażati fuq it-teknoloġija tal-materjal epitassjali eteroġenju ta 'nuqqas kbir ta' qbil kbir, id-difetti tal-materjal huma ħafna, id-doping huwa diffiċli, l-effiċjenza tal-luminixxenza quantum sew hija baxxa, u t-telf tal-apparat huwa kbir, li huwa s-semikonduttur internazzjonali lejżers fil-qasam tar-riċerka tad-diffikultà, u rċeviet attenzjoni kbira fid-dar u barra.

 

Zhao Degang, riċerkatur u Yang Jing, riċerkatur assoċjat tal-Istitut tar-Riċerka tas-Semikondutturi,Akkademja Ċiniża tax-Xjenzi(CAS) ilhom jiffokaw fuq materjali u apparati optoelettroniċi bbażati fuq GaN għal żmien twil, u żviluppaw lasers UV bbażati fuq GaN fl-2016 [J. Semi-kond. 38, 051001 (2017)], u rrealizzaw il-lejżers UV AlGaN eċċitati injettati elettrikament (357.9 nm) fl-2022 [J. Semi-kond. 43, 1 (2022)]. Semi-kund. 43, 1 (2022)], u fl-istess sena, ġie realizzat laser UV ta 'qawwa għolja b'qawwa ta' produzzjoni kontinwa ta '3.8 W f'temperatura tal-kamra [Opt. Laser Technol. 156, 108574 (2022)]. Riċentement, it-tim tagħna għamel progress importanti fil-lejżers UV ta 'qawwa għolja bbażati fuq GaN, u sab li l-karatteristiċi tat-temperatura fqira tal-lejżers UV huma prinċipalment relatati mal-konfinament dgħajjef ta' trasportaturi f'bjar quantum UV, u l-karatteristiċi tat-temperatura ta 'qawwa għolja Lejżers UV ġew imtejba b'mod sinifikanti bl-introduzzjoni ta 'struttura ġdida ta' barrieri quantum AlGaN u tekniki oħra, u l-qawwa kontinwa tal-ħruġ tal-lejżers UV f'temperatura tal-kamra żdiedet aktar għal 4.6 W, b'tul ta 'mewġ ta' eċċitazzjoni ta '386.8 nm. Il-Figura 1 turi l-ispettru ta 'eċċitazzjoni tal-lejżer UV ta' qawwa għolja, u l-Figura 2 turi l-kurva tal-qawwa ottika-kurrent-vultaġġ (PIV) tal-laser UV. l-avvanz tal-laser UV ta 'qawwa għolja bbażat fuq GaN se jippromwovi l-lokalizzazzjoni tal-apparat u jappoġġja l-litografija UV domestika, litografija ultravjola (UV), laser UV, uIndustrija tal-lejżer UV, kif ukoll l-iżvilupp ta 'teknoloġiji ġodda bħall-istruttura l-ġdida ta' ostakoli quantum. Litografija UV domestika, ikkurar UV, komunikazzjonijiet UV u oqsma oħra ta 'żvilupp indipendenti.

 

Ir-riżultati ġew ippubblikati f'Ittri Ottiċi bħala "Titjib tal-karatteristiċi tat-temperatura ta 'dijodi tal-lejżer ultravjola bbażati fuq GaN bl-użu ta' bjar quantum InGaN/AlGaN" [Ittri Ottiċi 49 1305 (2024) https: //doi.org/10.1364/OL. 5155]. Ir-riżultati ġew ippubblikati f'Ittri Ottiċi taħt it-titlu ta ' "Titjib tal-karatteristiċi tat-temperatura tad-dijodi tal-laser ultravjola bbażati fuq GaN bl-użu ta' bjar quantum InGaN/AlGaN" [Optics Ittri 49, 1305 (2024) https://doi.org/10.1364/OL .515502 ]. Dr Jing Yang huwa l-ewwel awtur u Dr Degang Zhao huwa l-awtur korrispondenti tal-karta. Dan ix-xogħol kien appoġġjat minn diversi proġetti, inkluż il-Programm Nazzjonali ta 'Riċerka u Żvilupp Ewlenin taċ-Ċina, il-Fondazzjoni Nazzjonali tax-Xjenza Naturali taċ-Ċina, u l-Proġett Speċjali ta' Xjenza u Teknoloġija Pilota Strateġika tal-Akkademja tax-Xjenzi Ċiniża.

news-433-352

news-493-349

Ibgħat l-inkjesta

whatsapp

Tat-telefon

Indirizz elettroniku

Inkjesta